OTSUKA大冢-分光器

除能夠進(jìn)行高精度薄膜解析的分光光導(dǎo)儀外，通過(guò)安裝測(cè)定角度的自動(dòng)可變機(jī)構(gòu)，也                                                 適用于所有種類的薄膜.。除傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)光子法外，還設(shè)置了相位差版的自動(dòng)解吸機(jī)                                                   構(gòu)，提高了測(cè)量精度.

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特長(zhǎng)。
在紫外可見(jiàn)(250到800 nm)波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行光導(dǎo)參數(shù)測(cè)量。
納米計(jì)量器等級(jí)的多層薄膜的膜厚分析是可能的。
能夠通過(guò)400ch以上的多通道分光法快速測(cè)定光導(dǎo)頻譜。
反射角可變測(cè)量可實(shí)現(xiàn)更詳細(xì)的薄膜分析。
通過(guò)光學(xué)常數(shù)的數(shù)據(jù)庫(kù)化以及**登錄功能的追加，提高操作性。
通過(guò)層膜擬合解析的光學(xué)常數(shù)測(cè)定，可以進(jìn)行膜厚·膜質(zhì)管理。

測(cè)量項(xiàng)目。
光導(dǎo)參數(shù)(tanψ、cosΔ)測(cè)量。
光學(xué)常數(shù)(n：折射率，k：衰退系數(shù))分析。
膜厚的解析。

用途。
半導(dǎo)體晶圓。
柵氧化薄膜。
SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O3、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN。
光刻膠的光學(xué)常數(shù)(波長(zhǎng)分散)。
化合物半導(dǎo)體。
AlxGa(1-x)As多層膜，非晶硅。
FPD。
取向膜。
等離子體顯示器的ITO，MgO等。
各種新素材。
DLC(Diamond Like Carbon)，超導(dǎo)用薄膜，磁頭薄膜。
光學(xué)薄膜。
TiO2、SiO2、多層膜、防反射膜、反射膜。
光刻領(lǐng)域。
g射線(436nm)，h線(405nm)，i線(365nm)，KrF(248nm)等各波長(zhǎng)的n，k評(píng)價(jià)

*1　偏光子駆動(dòng)可能、不感帯に有効な位相差板著脫可能です。
*2　短軸?角度により異なります。
*3　微小スポット対応（オプション）
*4　VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場(chǎng)合の値です。
*5　この波長(zhǎng)範(fàn)囲內(nèi)で選択可能です。
*6　測(cè)定波長(zhǎng)により光源が異なります。
*7　自動(dòng)ステージ選択時(shí)の値です。

原　理

試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測(cè)定します。s波とp波は位相と振幅が獨(dú)立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。

tanψ、consΔはエリプソパラメータと呼ばれており、分光エリプソメトリーではこの2つのパラメータの波長(zhǎng)依存スペクトルが測(cè)定されます。